InGaAs单元探测器
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NIR-I型 |
NIR-II型 |
SWIR-I型 |
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特性参数 |
典型值 |
备注 |
典型值 |
备注 |
典型值 |
备注 |
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光敏面 直径 |
1mm |
可订制 |
1mm |
可订制 |
1mm |
可订制 |
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规模 |
单元 |
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单元 |
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单元 |
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工作温度 |
-20 ~ +60 ℃ |
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-20 ~ +60 ℃ |
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-20 ~ +60 ℃ |
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储存温度 |
-55 ~ +70 ℃ |
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-55 ~ +70 ℃ |
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-55 ~ +70 ℃ |
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波段 |
0.9~1.7 μm |
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0.9~1.7 μm |
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1.0~2.5μm |
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峰值波长 |
1.55μm |
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1.55μm |
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2.2 μm |
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峰值量子 效率 |
≥90％ |
室温 |
≥90％ |
室温 |
≥70％ |
-20℃ |
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峰值 响应率 |
≥1.1 A/W |
室温 |
≥1.1 A/W |
室温 |
≥1.1 A/W |
-20℃ |
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器件阻抗 |
1.5×109Ω |
室温 |
1.5×109Ω |
室温 |
2.5×105Ω |
-20℃ |
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暗电流 |
≤8×10-12A |
@-0.1V，室温 |
≤8×10-12A |
@-0.1V，室温 |
≤4×10-7A |
@-0.01V，-20℃ |
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等效噪 声功率 |
≤3×10-14 W/Hz1/2 |
@1.55μm，室温 |
≤3×10-14 W/Hz1/2 |
@1.55μm，室温 |
≤4.5×10-13 W/Hz1/2 |
@2.2μm，-20℃ |
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峰值 探测率 |
≥3×1012cm·Hz1/2/W |
室温 |
≥3×1012cm·Hz1/2/W |
室温 |
≥2×1011cm·Hz1/2/W |
-20℃ |
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封装形式 |
TO管壳 |
可订制 |
内部集成热电制冷器、TO-9管壳 |
可订制 |
内部集成热电制冷器、TO-9管壳 |
可订制 |
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应用领域 |
定标、激光控制、光功率计等 |
光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等 |
光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等 |
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产品特点 |
正照射结构、低噪声、低暗电流、大光敏区 |
正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器 |
正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器 |
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