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InGaAs单元探测器

 

NIR-Ⅰ型InGaAs单元探测器

应用领域:定标、激光控制、光功率计等

产品特点:正照射结构、低噪声、低暗电流、大光敏区

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性能参数:

特性参数

典型值

备注

光敏面直径

1mm

可订制

规模

单元

 

工作温度

-20 ~ +60 ℃

 

储存温度

-55 ~ +70 ℃

 

波段

0.9~1.7 μm

 

峰值波长

1.55μm

 

峰值量子效率

≥90%

室温

峰值响应率

≥1.1 A/W

室温

器件阻抗

1.5×109Ω

室温

暗电流

≤8×10-12A

@-0.1V,室温

等效噪声功率

≤3×10-14 W/Hz1/2

@1.55μm,室温

峰值探测率

≥3×1012cm·Hz1/2/W

室温

封装形式

TO管壳

可订制

 

光谱响应曲线:

img3

外形尺寸及引脚定义:(单位mm)

img4

img5

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注意事项:

 

(1)产品使用过程中,热电制冷器正、负端不可接反,否则会影响组件的性能和使用寿命。

(2)组件采用热敏电阻进行测温,制冷效果和环境温度、电源性能、散热状态相关。

(3)产品使用过程中,需要防静电保护,操作人员应戴静电手环。

(3)产品在存贮、运输过程中,应放入防静电的泡沫中,并储存于防静电盒内。

(4)针脚插拔不能用力过大,针脚弯折不能沿根部弯折超过45°,防止弯折造成玻璃珠开裂。

(5)产品需在断电后进行插拔操作。

 

 

 

 
 

 

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上海济物光电技术有限公司

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